Silicon Carbide Pipe Cone

Kuerz Beschreiwung:

Sintered Alpha Silicon Carbide Päif Rouer gëtt produzéiert duerch sintering ultra-pure Sub-Mikron Pudder.Dëse Pulver gëtt mat Net-Oxid Sinterhëllef gemëscht, duerno a komplexe Formen duerch verschidde Methoden geformt a konsolidéiert duerch Sintering bei enger Temperatur iwwer 3633 Grad Fahrenheit.

De Sinterprozess resultéiert an engem eenfasegen feinkornem Siliziumkarbid dee ganz reng an eenheetlech ass, mat quasi keng Porositéit, déi d'Materialien et erlaabt korrosiv Ëmfeld, abrasiv Ëmfeld an Ëmfeld ze widderstoen, déi ënner héijer Temperatur (2552 Grad Fahrenheit) operéieren.Dës Eegeschafte maachen gesintert Alpha Siliziumkarbid ideal fir Uwendungen wéi Päiflinn, Zyklonlinn.

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produkt Charakter:

- Niddereg Dicht, Héich Stäerkt.
- Gutt héich Temperatur Kraaft (Reaktioun gebonnen).
- Oxidatiounsresistenz (Reaktioun gebonnen).
- Exzellent thermesch Schockbeständegkeet.
- Héich Hardness a Verschleißbeständegkeet.
- Exzellent chemesch Resistenz.
- Niddereg thermesch Expansioun an héich thermesch Konduktivitéit.

Technesch Datum:

Kierperlech Charaktere	Eenheet	Eegeschaften
SIC Inhalt	%	95-88
Gratis Si	%	5~12
Bulk Dicht	g/cm3	>3.01
Porositéit	%	<0.1
Hardness	kg/mm2	2400
Koeffizient vun der Béiestäerkt bei 20 Grad Celsius	Mpa	260
Koeffizient vun der Béiestäerkt bei 1200 Grad Celsius	Mpa	280
Elastizitéitsmodul bei 20 Grad Celsius	Gpa	330
Fracture Zähegkeet	Mpa*m1/2	3.3
Koeffizient vun der thermescher Konduktivitéit bei 1200 Grad Celsius	W/mk	45
Koeffizient vun der thermescher Expansioun bei 1200 Grad Celsius	10-6 mm/mmK	4.5
Koeffizient vun Hëtzt Stralung		<0.9
Max.Aarbechtstemperatur	℃	<1380
Notiz: Date vun den zitéierten Eegeschafte sinn typesch Resultater vun Teststécker a sollen dofir nëmmen als Leedung benotzt ginn