Héichreinheets-Aluminiumoxid-Keramik (Al)2O3:>99,7%)
-Aluminiumoxid Wafer Polierplack / Dréitafel
-Grouss Héichreinheetsaluminiumoxid-Sockelplatte fir LCD-Produktiounsausrüstung
HéichreinheetsaluminiumoxidAl2O3:>99,7%
Hallefleiter-, Pëtrols-, Chimie-, Photovoltaik-, LCD- etc. Industrien, wéi mechanesch Deeler, elektronesch Deeler, Mikrowellen-Induktiounsscheiwen, Isolatiounsdeeler. Zum Beispill an der Produktioun vun Hallefleitergeräter, Vakuumausrüstung, Flëssegkristall-Produktiounsausrüstung an aner Komponenten. Zum Beispill ass déi grouss Gréisst vun der héichreinheets Aluminiumoxid-Keramik-Wafer-Polierplack/Dréitafel eng wichteg Komponent vun der CMP beim chemesch-mechanesche Polieren, der Aluminiumoxid-Sockelplat fir LCD.
Héichreinheetsal2O399,7% -99,9%
Héich mechanesch Stäerkt
Héich Verschleißbeständegkeet
Héich elektresch Isolatioun
Héich chemesch Haltbarkeet
Gud Hëtzt- a Korrosiounsbeständegkeet
Mir hunn onofhängegt intellektuellt Eegentum vum PIBM Spontan Solidifikatiounssystem, produzéiere professionell héichqualitativ fein Keramikkomponenten.
Déi nei Technologie léist d'Deformatiouns- a Rëssproblemer vu grousse Keramik-Naassblieder am Virbereedungsprozess, an d'Produktleistung gëtt fir déi grouss Keramikdeeler, déi mat traditionelle Methode virbereet ginn, däitlech optimiséiert.
D'Aluminiumoxid-Keramik-Saphir-Läppwafer-Polierung vu Chemshun Ceramics gëtt als PIBM-Produktiounsprozess geformt. Et ass eng intern fortgeschratt Technologie. PIBM léist erfollegräich dat wichtegst Problem vu Rëss an Deformatioun vu groussen Aluminiumoxid-Keramik. D'PIBM-Technologie mécht eng nei Fënster fir fein Keramik op. Mir produzéieren net nëmmen héichqualitativ Aluminiumoxid-Keramik-Wafer-Polierplacken, mä och aner Serien vu groussen, héichreine Aluminiumoxid-Keramik, wéi z. B. 1200x500x20mm Keramiksubstrate fir LCD-Produktiounsausrüstung, Hallefleeder-Liwwerbunnen, Vakuumdeeler, allgemeng mechanesch Deeler a kugelsécher Keramik.
1. Aluminiumoxid-Wafer-Polierplack / Dréitafel. Scheif, Rankgréisst ënner 850 mm, Déckt 45 mm.
2. Aluminiumoxid-Sockel fir LCD als Trägerplack. Form wéi laang Brett, laang Staang, véiereckeg Brett, dënn Brett mat enger Gréisst ënner 1500*600 mm, wéi zum Beispill: 1200x500x20, 1400x900x30 etc.
3. Führungsschinnen ënner 1000 * 45 * 45mm.
4. Eidel Réier, Zylinder, elektresch Vakuumréier, etc. Mat enger Gréisst ënner 300 ~ 600 × L500mm.
5. Benotzerdefinéiert Produkter mat verschiddene Formdeeler ginn akzeptéiert.
| Immobilie | Artikel | Eenheet | Chemshun 99,7% Alumina Keramik |
| Allgemeng Eegeschaften | Haaptkomponent | Gew.-% | 99,7-99,9 |
| Dicht | gm/cc | 3,94-3,97 | |
| Faarf | - | Elfebeen | |
| Waasserabsorptioun | % | 0 | |
| Mechanesch Eegeschaften | Biegefestigkeit (MOR) 20 ℃ | Mpa(psix10^3) | 440-550 |
| Elastizitéitsmodul 20 ℃ | GPa (psix10^6) | 375 | |
| Vickers-Härkeet | Gpa(kg/mm2) R45N | >=17 | |
| Biegekraaft | GPA | 390 | |
| Zuchfestigkeit 25 ℃ | MPa(psix10^3) | 248 | |
| Bruchstähigkeit (KI c) | Mpa* m^1/2 | 4-5 | |
| Thermesch Eegeschaften | Wärmeleitfäegkeet (20 ℃) | W/mk | 30 |
| Koeffizient vun der thermescher Expansioun (25-1000 ℃) | 1x 10^-6/℃ | 7.6 | |
| Widderstand géint Thermeschock | ℃(∆Tc) | 200 | |
| Maximal Benotzungstemperatur | ℃ | 1700 | |
| Elektresch Eegeschaften | Dielektresch Stäerkt (1MHz) | AC-kv/mm (AC V/Mil) | 8.7 |
| Dielektresch Konstant (1 MHz) | 25℃ | 9.7 | |
| Volumenwiderstand | Ohm-cm (25℃) | >10^14 | |
| Ohm-cm (500℃) | 2×10^12 | ||
| Ohm-cm (1000℃) | 2×10^7 |

All Chargeprodukter ginn am Fabréckslabor an am Nationalen Inspektiounszentrum iwwerpréift.